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大中院校,科研院所镀膜设备

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小型试验镀膜设备专用于科研、教学、电子元件等领域的表面真空镀膜。小型真空镀膜机,实验专用镀膜设备特点:小型试验真空镀膜机具有外形美观、结构紧凑、性能多样、操作简单可靠、耗电量低的特点。可实现蒸发镀膜、磁控溅射镀膜工艺。可进行手动、半自动、全自动控制。有多种尺寸型号可供选择。


小型单靶磁控溅射系统

一、设备用途:

设备主要用于制备氧化物薄膜,也用于制备碳化物薄膜。

二、技术指标:

1、采用小型立式圆筒形真空室,上盖开启结构,不锈钢材料;

2、溅射室极限真空度:6.7×10-5Pa,系统漏率:1×10-7Pa.L/S;

3、真空抽气机组:系统配有国产分子泵以及机械泵抽气系统;

4、磁控靶及电源:

4.1、磁控靶:2英寸磁控靶1个,标准型永磁靶,间接水冷,与法兰采用氟橡胶圈密封;

4.2、电源:RF:13.56MHz,500W,手动匹配,1台;电源采用国产品牌。

4.3、靶基距:靶表面与样品垂直距离为60mm±20mm,用光轴加直线轴承导向,可手动连续调节,有刻度指示;

5、镀膜方式:镀膜方式采用单靶溅射成膜;

6、样品台:具有加热、旋转功能;

6.1、样品尺寸:一工位可加热旋转样品台一套;最大可放置Φ50mm的样品一个;

6.2、样品台最高的加温温度为600℃,程序测温控温;?

6.3、样品自转:转速为:0~50r/min;?

6.4、挡板:采用直接转轴转动密封,手动操作;

7、气路:两路进气(N2、O2),一路用质量流量控制器控制,一路由浮子流量计控制;

8、真空室内有衬板,避免溅射材料溅射到腔室内壁上;

9、设备具有断水断电连锁保护功能


三靶磁控溅射镀膜系统

一、设备用途:

采用三靶共溅射方法进行镀膜。

二、主要技术性能指标:

1、整体结构:

采用上盖电动升降开启式结构,真空室上盖上面安装三个磁控靶,采用共溅射的方式进行镀膜;真空室底面向上安装旋转振动样品台,配有数显复合真空计测量真空,三路质量流量控制器控制靶进气流量。

2、真空度及抽气机组:

系统极限真空度≤5×10-5Pa;

系统漏率:1×10-7PaL/S;

真空抽气系统采用分子泵+机械泵抽气机组。

3、样品台系统:

3.1、样品台:样品盘尺寸为内径Φ50mm;

3.2、在沉积室有一套样品盘,它们可以在真空室上盖打开的情况下进行更换,或者通过真空室正前方的DN240门开启更换。

4、磁控溅射系统:

4.1、3英寸磁控靶3套以及相应电源;

4.2、磁控靶挡板3套;

4.3、磁控靶与样品距离手动调节,调节距离为:100mm~140mm。

5、气路:两种气体(一种为Ar,另一种未定);气体从气源出来后,通过质量流量控制器控制,再进入三个磁控靶。每个磁控靶配一个质量流量控制器。

6、压力测量采用进口英福康0.1Torrent薄膜压力规。(选配)

7、溅射室烘烤照明:采用红外加热除气方式,烘烤温度:150℃。

8、设备具有断水断电连锁保护功能,有防止误操作保护功能。

9、计算机控制系统,主要实现:(1)真空度的采集;(2)薄膜压力的采集;(3)磁控靶挡板的开启;(4)气体流量的采集和控制;(5)样品的升降和旋转控制;(6)靶功率的控制。

 

单靶磁控溅射系统(针对粉末、小颗粒镀膜)

一、设备用途:

设备主要用于粉末颗粒基材上镀膜。

二、技术指标:

1、采用小型立式圆筒形真空室,侧开门结构,不锈钢材料;

2、溅射室极限真空度:6.7×10-5Pa,系统漏率:1×10-7Pa.L/S;

3、真空抽气机组:系统配有国产分子泵以及机械泵抽气系统;

4、磁控靶及电源:

4.1、磁控靶:2英寸磁控靶1个,标准型永磁靶,间接水冷,与法兰采用氟橡胶圈密封;

4.2、直流电源,500W,手动匹配,1台;电源采用国产品牌。

4.3、靶基距:靶表面与样品垂直距离为60mm±20mm,用光轴加直线轴承导向,可手动连续调节,有刻度指示;

5、镀膜方式:镀膜方式采用单靶溅射成膜;

6、样品台:具有独特振动功能,可使材料均匀镀膜;

7、气路:一路进气(N2),一路用质量流量控制器控制;

8、真空室内有衬板,避免溅射材料溅射到腔室内壁上;

9、设备具有断水断电连锁保护功能

 

ZF-450 蒸发镀膜系统

一、主要用途:

设备主要用于实验室制备各种光学薄膜,也可用作教学及生产线前期工艺试验等。

二、技术指标:

1.系统结构:Φ450×400(mm)(内径)立式双层水冷电动升降结构;

2.极限真空度:5×10-5Pa,系统总漏率:6.7×10-9Pa.L/S;

3.蒸发功率:1Kw和1.5Kw各一个。蒸发源两个,电阻蒸发舟方式镀膜,蒸发舟与样品之间的距离为150~200mm;?

4.蒸发源:蒸发舟最高加热蒸发温度600℃;控温精度:室温~600℃时±1℃。

5.最大样品尺寸150mm,样品台可实现自转0~30转/分;

6.气路系统:气体两路,质量流量计控制,流量范围0~100sccm。

三、系统组成:

设备主要由蒸发源及电源系统、真空室系统、真空获得及测量系统、样品台及挡板系统、控制单元等组成。


产品型号:MI-产品分类:@大中院校,科研院所镀膜设备